Tunnel Field-Effect Transistors: Steeper Switching and Low off Current (IOFF) for Ultra Low Power Applications
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: English
View: 673
This Paper With 15 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
COMCONF04_054
تاریخ نمایه سازی: 10 تیر 1396
Abstract:
With down Scaling of MOSFET to nanometer dimensions, the OFF-state leakage current(Ioff) increases exponentially due to the non scalability of threshold voltage since the Subthreshold Swing(S) is limited to 60mV/decade. Steep Subthreshold Swing transistors based on Band to Band Tunneling (BTBT) are analyzed to improve the performance of the circuit for low power applications. This review paper discuss about various structures and modeling of Tunnel Field Effect Transistor(TFET) which replaces CMOS for greater energy efficiency which is considered to be the most critical design parameter for ubiquitous and mobile computing systems
Keywords:
Authors
Saeid jafari
Department of electronic engineering Imam Khomeini Naval University of Noshahr Noshahr, Iran
Kavoos Sarkari
Department of electronic engineering Imam Khomeini Naval University of Noshahr Noshahr, Iran
Majid Aghababaei
Department of electronic engineering Imam Khomeini Naval University of Noshahr Noshahr, Iran
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :