Compare noise characteristic of DC-HEMT and HEMT
Publish place: دومین کنفرانس بین المللی پژوهش در علوم و تکنولوژی
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: English
View: 538
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CRSTCONF02_054
تاریخ نمایه سازی: 21 شهریور 1395
Abstract:
We compare noise characteristics of / DC-HEMT and HEMT. The DC-HEMT exhibits high gain and high current and low noise. The noise characteristics are calculated as a function of gate voltage as well as drain voltage. The noise curve versus gate voltage also shows three regions. And also the noise curve versus drain voltage shows two regions. The first region is related to the triode region of the transistor where the noise decreases with increase of the drain voltage. The second region is related to the saturation region of the transistor where the noise is almost constant.
Authors
Sonia Sadeghi
Young Researchers Club, Abhar Branch, Islamic Azad University, Abhar, Iran
Rahim Faez
Sharif university of technology
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :