Effective Channel Length Extraction of MOS Transistors with Halo/Pocket Implants
Publish place: 12th Iranian Conference on Electric Engineering
Publish Year: 1383
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: English
View: 1,621
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE12_224
تاریخ نمایه سازی: 13 مهر 1387
Abstract:
The shift-and-Ratio method has been considered as one of the most accurate and consistent techniques for extracting the effective channel-length of the MOS transistors. The use of original shift-andratio method for Leff extraction of MOS transistors with halo/pocket implants results in systematic errors for Leff. In this paper a modification of the original method has been proposed and tested by simulation. The values of Leff generated by this method are more reasonable than the original shift-and-ratio method.
Keywords:
Authors
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :