An Energy Recovery Static RAM With MEQUL Transistor And Driving Line Technique in voltage mode

Publish Year: 1385
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: English
View: 2,348

This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

ICEE14_324

تاریخ نمایه سازی: 25 تیر 1387

Abstract:

In this paper, we introduce a new low-power SRAM cell with seven transistors. The design is based on energy recovery and driving source line cell that reduces the power dissipation associated with write operations. The new memory is designed using 0.6μm CMOS technology and operates in voltage mode with 5 Volts power supply. Simulation results indicate that the energy saving is improved about 20% in read cycle and 40% in write cycle at 166MHz, compared to conventional design. The layout penalty of seven-transistor cell is negligible compared to 6-transistor SRAM.

Keywords:

Memory , Low power , High speed and SRAM

Authors

Hassan Abdollahi

Islamic Azad University, south Tehran Branch and Shahid Sattari Air University,

Abdolreza Nabavi

Tarbiat Modarres University.

Satar Mirzakuchaki

Iran University of Science and Technology

Afsaneh Haghnegahdar

Iran University of Science and Technology

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • Jinn-Shyan Wang, Wayne Tseng, and Hung- Yu Li, "Low-power Embedded ...
  • Hiroyuki Mizuno and Takahiro Nagano, "Driving Source-line (DSL) Cell Architecture ...
  • Dinesh Somasekhar, Yibin Ye, and Kaushik Roy _ Energy Recovery ...
  • نمایش کامل مراجع