Simulation of a RF MEMS switch for low power applications
Publish place: The First Iranian Microelectronics Conference
Publish Year: 1398
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: English
View: 520
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICMCONF01_026
تاریخ نمایه سازی: 19 اسفند 1398
Abstract:
Here, a new thermally actuated latching RF MEMS switch is presented. The switch uses two thermal actuators to move an arm in y and z axis which serve as the signal line of CPW waveguide switches. The switch can be actuated ON or OFF by using voltage or current pulse. Using a dielectric (nitride) as an interface between the connection layer at the head of the arm and the thin beam, the RF circuitry is separated from DC actuators, allowing the wide band operation. The proposed switch has simple RF circuitry that makes it suitable for integration with more complex configuration. The switch demonstrates excellent RF performance of better than 0.05dB insertion loss and return loss of better than 20dB for the entire frequency band up to 25GHZ.
Authors
Morteza Dadgar
Department of Electrical Engineering, Sahand University of Technology, Tabriz, Iran
Esmaeil Najafi Aghdam
Department of Electrical Engineering, Sahand University of Technology, Tabriz, Iran.