Design of 13.56 MHz Generator for Sputtering Application
Publish place: 11th Iranian Student Conference on Electrical Engieering
Publish Year: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: English
View: 2,747
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE11_178
تاریخ نمایه سازی: 15 اسفند 1386
Abstract:
RF sputtering is one of the most spread and utilized methods for thin film deposition in microelectronics and ma terial science. By means of
capacitive coupled RF power to sputtering chamber, it is possible to discharge the gas and achieve a bias high voltage for ion acceleration. A 13.56 MHz RF generator is designed. Its oscillator, pre- and power amplifier stages are described. A matching network is used to transfer the maximal generated power to the plasma.
Keywords:
Authors
Masoud Baghelani
Sahand University of Technology
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :