Design and Simulation of an Ultra Low-Power Low-Voltage Mixer by using of MOSFET Performance in Subthreshold Region
Publish place: 15th Iranian Student Conference on Electrical Engineering
Publish Year: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: English
View: 1,587
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE15_539
تاریخ نمایه سازی: 3 آذر 1391
Abstract:
In this paper an ultra low-power low-voltage mixer based on MOSFET transistors performance in the subthreshold region is described. The subthreshold region performance advantages of the MOS transistors is used to achieve a good performance to design the proposed mixer. The RF, LO and IF port frequencies are 2.4 GHz, 2.3 GHz and 100 MHz, respectively . Simulation results of the proposed mixer in TSMC 0.18-μm CMOS technology depict a maximum conversion gain of 7.93 dB, a double-sideband (DSB) noise figure of 13.68 dB, and an input third-order intercept point (IIP3) of -4 dBm. The supply voltage of the circuit is 0.7 V and the power consumption is only 217 μW. Also, this circuit architecture increases port-to-port isolations to above 140 dB. Moreover this mixer is suitable for broadband applications.
Keywords:
Authors
Zahra Ghane Fashtali
Department of Electrical EngineeringUniversity of Guilan, Rasht, IRAN
Reza Ebrahimi Atani
Computer Engineering Department
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :