شبیه سازی و بررسی پارامترهای موثر بر کاهش توان مصرفی در مدارهای ضرب کننده با استفاده از فناوری ترانزیستورهای CNT
Publish Year: 1396
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 385
This Paper With 10 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_JCEJ-7-24_002
تاریخ نمایه سازی: 5 خرداد 1398
Abstract:
در این مقاله، به ارایه یک ضرب کننده آنالوگ چهار ربعی مد جریان جدید برپایه ترانزیستور های نانو لوله کربنی می پردازیم. مدارهای مجذورکننده جریان که اخیرا طراحی شده است و آینه جریان، که در ولتاژ تغذیه پایین (1V) کار می کنند، اجزای اساسی در تحقق معادلات ریاضی هستند. در این پژوهش مدار ضرب کننده، با استفاده از فناوری CNTFET ،32 نانو متر طراحی می شود و برای معتبر ساختن عملکرد مدار، ضرب کننده ارایه شده در شبیه ساز HSPICE شبیه سازی شده است. نتایج حاصل از شبیه سازی نشان می دهد که مدار قابلیت عملکرد مطلوب را تا فرکانس 2 گیگا هرتز ، مصرف توان ماکزیمم 3.7464µw و همچنین دارای THD 0.226043% می باشد.
Keywords:
Authors
عبدالرسول مقاتلی
دانشجوی ارشد دانشگاه آزاد واحد بوشهر
حسین مومن زاده
عضو هیات علمی دانشگاه آزاد واحد بوشهر
محمد نادر کاکایی
هیت علمی دانشگاه آزاد واحد بوشهر
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :