بررسی تاثیر میدان مغناطیسی بر انتقال حرارت جابجایی ترکیبی نانوسیال درون محفظه K شکل با استفاده از روش شبکه بولتزمن
Publish place: Journal of Solid and Fluid Mechanics، Vol: 8، Issue: 1
Publish Year: 1397
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 335
This Paper With 16 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_JSFM-8-1_010
تاریخ نمایه سازی: 19 خرداد 1398
Abstract:
در کار حاضر، برای اولین بار، انتقال حرارت جابجایی ترکیبی نانوسیال درون محفظه K شکل در حضور میدان مغناطیسی با استفاده از روش شبکه بولتزمن شبیه سازی شده است. دیواره های سمت راست و چپ محفظه در دمای ثابت سرد قرار دارند. دیواره افقی پایینی محفظه در دمای ثابت گرم است. دما روی دیواره افقی بالایی محفظه بصورت خطی تغییر می کند. در شبیه سازی صورت گرفته میدان جریان و دما با حل همزمان توابع توزیع جریان و دما محاسبه شده است. تاثیر پارامترهای مختلفی چون عدد رینولدز (200-50)، عدد هارتمن (60-0)، نسبت ابعاد محفظه (1-4/0) و کسر حجمی نانوذرات (05/0-0) بر روی انتقال حرارت جابجایی ترکیبی بررسی شده است. نتایج نشان می دهد با ثابت ماندن تمامی پارامترها، افزایش نسبت ابعاد محفظه و عدد رینولدز سبب افزایش انتقال حرارت می شود. بعلاوه در یک عدد رینولدز و نسبت ابعاد ثابت، افزایش عدد هارتمن باعث کاهش سرعت جریان درون محفظه و انتقال حرارت می شود. همچنین تغییر کسر حجمی نانوسیال بر روی انتقال حرارت تاثیرگذار بود.
Keywords:
Authors
احمدرضا رحمتی
استادیار، دانشکده مهندسی مکانیک، دانشگاه کاشان، کاشان، ایران
محمد نعمتی
دانش آموخته کارشناسی ارشد، دانشکده مهندسی مکانیک، دانشگاه کاشان، کاشان، ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :