Reactivity descriptors of encapsulated B24N24 nanocages: A DFT methodology

Publish Year: 1389
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: English
View: 1,700

متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

NNTC01_111

تاریخ نمایه سازی: 8 آبان 1389

Abstract:

The purpose of this study is to probe the DFT based chemical reactivity parameter, electrophilicity index as a possible molecular engineering of endohedral BN-nanocages. The structure and electronic properties of endohedral boron nitride nanocages have been investigated as a function of encaged alkali atom using density functional theory. We have calculated and analyzed basic characteristic related to the reactive behavior, such as chemical hardness, chemical potential, vertical electron affinity, and vertical ionization potential, as well as the global electrophilicity index, ω(I,A) of the encapsulated B24N24 nanocages

Authors

Nima Karachi

Department of Chemistry, Islamic Azad University, Marvdasht Branch, Marvdasht

Asadollah Boshra۲

Nanoscience Computation Lab, Islamic Azad University, Boroujerd Branch, Boroujerd, Iran

Maryam Goudarzi

Master of Science Student, Department of Chemistry, Science and Research Branch, Islamic Azad University,

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • _ Conference on Nano Science & Nano Technology, YAZD, 16-18 ...
  • _ Conference on Nano Science & Nano Technology, YAZD, 16-18 ...
  • T. Oku, M. Kuno, H. Kitahara, I. Narita, Int. J. ...
  • M. Radosavljevic , J. Appenzeller et al, Appl. Phys. Lett. ...
  • S. Kokado, K. Harigaya, Synth. Met. 135-136 (2003) 745. ...
  • T. Oku, T. Hirano et al, Mater. Sci. Eng, B ...
  • R. Ma, Y. Bando, H. Zhu et al, J. Am. ...
  • T. Oku, M. Kuno, I. Narita, J. Phys. Chem. Solids ...
  • N. Koi, T. Oku, Solid State Commun. 131 (2004) 121. ...
  • W. Mickelson, S. Aloni, W.-Q. Han, J. Cumings, A. Zett, ...
  • _ Golberg, F.-F. Xu, Y. Bando, Appl. Phys., A 76 ...
  • T. Oku, I. Narita, A. Nishiwaki, N. Koi, Defects Diffus. ...
  • T. Oku, M. Kuno, H. Kitahara, I. Narita, Int. J. ...
  • I. Narita, T. Oku, Diamond Relat. Mater. 12 (2003) 1146. ...
  • T. Oku, K. Hiraga, T. Matsuda et al, Diamond Relat. ...
  • T. Oku, K. Hiraga et al, Diamond Relat. Mater. 12 ...
  • V.v. Pokropivny, V.V. Skorokhod et al J. Solid State Chem. ...
  • T. Oku, A. Nishiwaki, I. Narita, Chem. Phys. Lett. 380 ...
  • T. Oku, A. Nishiwaki, I. Narita, Phys. B 351 (2004) ...
  • H. -Sh. Wu, H. Jiao, Chemical Physics Letters 386 (2004) ...
  • R. R. Zope, T. Baruah et al, Chemical Physics Letters ...
  • Y.-Z. Lan, W.-D. Cheng et al, THEOCHEM 730 (2005) 9. ...
  • G. M. Rouzbehani, A. Boshra, A. Seif, Monatshefte fur Chemie ...
  • V.V. Pokropivny, V.L. Bekenev, Semiconduco rS 40 (6) (2006)636. ...
  • N. Koi, T. Oku, , K.S. Suganuma, Physica E 29 ...
  • N. Koi, T. Oku, Science and Technology of Advanced Materials ...
  • H. Chermette, J. Comput. Chem. 20 (1999) 129. ...
  • P. Geerlings, F. De Proft, W. Langenaeker, Chem. Rev. 103 ...
  • R.G. Parr, L.V. Szentpaly, S. Liu, J. Am. Chem. Soc. ...
  • R.G. Parr, D.A. Donnelly, M. Levy, M. Palke, J. Chem. ...
  • R.S. Mulliken, J. Chem. Phys. 2 (1934) 782. ...
  • R. Pearson, J. Chem. Sci. 117 (2005) 369. ...
  • M.J. Frisch et al in GAUSSIAN 98, Gaussian, Inc., Pittsburgh, ...
  • R. Parthasarathi, J. Padmanabha et al, Chem. Phys. Lett. 394 ...
  • نمایش کامل مراجع