بهبود خطینگی خازن-ولتاژ(c-v) یک اسیلاتور کنترل شونده با ولتاژ (LC VCO) به روش شیفت بایاس در تکنولوژی استاندارد CMOS
Publish place: The First Iranian Microelectronics Conference
Publish Year: 1398
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 624
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICMCONF01_008
تاریخ نمایه سازی: 19 اسفند 1398
Abstract:
در این مقاله یک نوسان ساز کنترل شونده با ولتاز با استفاده از تکنیک شیفت بایاس به منظور تغییر مشخصه ی ورکتور و افزایش میزان خطینگی VCO طراحی شده است. با اضافه کردن 6 ورکتور MOS موازی مد وارونگی بایاس شیفت داده شده در حالت موازی با یکدیگر، خطینگی کمتر از 47% به دست آمده است. این تکنیک توسط نرم افزار Cadence IC Design در تکنولوژی 180 نانومتر TSMC CMOS شبیه سازی شده است. VCO ارائه شده دارای نویز فاز dBc/Hz -116.5 در آفست فرکانس 1 MHz در فرکانس 3.42 GHz را شان می دهد و این در حالی است که KVCO مدار در محدوده ی فرکانسی از GHz 2.51-3.42 کمتر از 47 درصد از KVCO ایده ال انحراف دارد و قابل ذکر است که توان مصرفی تحت تغذیه 1.8V ، 1mw می باشد.
Keywords:
Authors
رامین حیدری
دانشجوی برق، واحد بوشهر،دانشگاه آزاد اسلامی، بوشهر،ایران
نجمه چراغی شیرازی
گروه برق،واحد بوشهر،دانشگاه آزاد اسلامی، بوشهر ایران
روزبه حمزه ئیان
گروه برق،واحد بوشهر،دانشگاه آزاد اسلامی، بوشهر ایران