بررسی و بهبود اثر بی ثباتی دمایی تحت بایاس بر تمام جمع کننده های هیبریدی
Publish place: The First Iranian Microelectronics Conference
Publish Year: 1398
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 464
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICMCONF01_018
تاریخ نمایه سازی: 19 اسفند 1398
Abstract:
در این مقاله یک تکنیک پیشنهادی جهت بهبود بی ثباتی دمایی تحت بایاس ( Bias Temperature Instability ) بر روی تمام جمع کننده های هیبریدی پیشنهاد شده است. هدف از این تکنیک کاهش تغییرات تاخیر رقم نقلی طی گذر زمان می باشد. در جمع کننده ها سرعت انتقال رقم نقلی از اهمیت بالایی برخوردار است. جهت بهبود مدارات در برابر سال خوردگی و تغییرات تاخیر از روش چند ولتاژ آستانه استفاده شده است. این تکنیک بر روی شش مدار جمع کننده با توپولوژی مختلف در فناوری 14 نانومتر FinFET توسط نرم افزار Hspice مورد مقایسه و ارزیابی قرار گرفته است. با به کارگیری این روش می توان تغییرات تاخیر را تا 8 / 33 درصد کاهش داد.
Authors
محمد وفائی پور
دانشگاه آزاد اسلامی، واحد علوم و تحقیقات، گروه مهندسی برق-الکترونیک، تهران، ایران،
بهزاد ابراهیمی
دانشگاه آزاد اسلامی، واحد علوم و تحقیقات، گروه مهندسی برق-الکترونیک، تهران، ایران،