استفاده از اثر بدنه به منظور حذف اعوجاج مرتبه سوم در تقویت کننده ی کم نویز فرا پهن باند

در این مقاله یک تقویت کننده ی کم نویز فرا پهن باند با استفاده از تکنیک جدید به منظور بهبود خطینگی مرتبه سوم ارائه می شود. تکنیک حذف اعوجاج مرتبه سوم با استفاده از اثر بدنه ترانزیستور , به منظور حذف نویز در یک تقویت کننده ی دیفرانسیلی گیت مشترک، انجام می شود و این در حالی است که تقویت کننده ی ارائه شده نسبت به کارهایگذشته علاوه بر بهبود IIP3 توان مصرفی را بهبود می دهد. برای شبیه سازی از ابزار Cadence IC Design و از تکنولوژی 90 نانومتر استفاده شده است. شبیه سازی ها نشان می دهند که مدار به مقدار مینیمم عدد نویز 5/3dB و بهره 3/18dB رسیده است. همچنین مقدار توان مصرفی 8/36 میلی وات بدست آمده است و این در حالی است که مدار از یک تغذیه 1/2 ولتی بهره می برد. همچنین IIP3 در فرکانس 6GHz و فاصله ی دو تن 1MHz ، dBm 13 بدست آمده است

Keywords:

تقویت کننده کم نویز , فراپهن باند , CMOS , IIP3 , اثربدنه