بهبود پاسخ فرکانسی افزاره اثر میدانی مبتنی بر کاربید سیلیسیم با تعبیه پنجره های دوپینگ

در این مقاله یک روش جدید برای بهبود پاسخ فرکانسی و ولتاژ شکست یک افزاره مسفت کاربید سیلیسیم (SiC MESFET) پیشنهاد شده است. این روش براساس تغییر در پروفایل ناخالصی کانال افزاره استوار است. کانال به پنجره های گوناگون تقسیم شده و در هر یک از این پنجره ها ناخالصی سنگین تعبیه شده است. پارامترهای مهمی همچون جریان راه انداز و ولتاژ شکست مورد ارزیابی قرار گرفته اند و نشان داده شده است که این پارامترها در مقایسه با ساختار مرسوم بهبود یافته اند. همچنین مشخصه فرکانسی ساختار پیشنهادی بالا بودن فرکانس قطع را نشان می دهد که یکی از مزایای مهم به شمار می آید.همه نتایج شبیه سازی با شبیه ساز SILVACO انجام شدهاست.

Keywords:

ولتاژ شکست , افزاره اثر میدانی , کاربید سیلیسیم , جریان راه انداز