ماسفت های سیلیکون بر عایق

در این مقاله یک نانوماسفت با بدنه فوق نازک با طول گیت 40 نانومتر تشریح می شود. قطعه سیلیکون بر روی عایق با بدنه نازک خودهم سطح شونده قبلا برای از میان بردن اثر کانال کوتاه پیشنهاد شده است. ساختار بدنه فوق نازک می تواند مسیر بین سو رس و درین راحذف کند و جایگزین تکامل یافته تری برای ماسفت دو گیتی در فناوری زیر یک دهم میکرون ارائه دهد.داده های موجود در این شکل ها از طریق شبیه سازی قطعه به کمک سیلواکو اطلس با استفاده از پروفایل های دوپینگ آلایش ساده برایبدنه یکنواخت وگاوسی ساده به دست آمده است. ساختار بدنه فوق نازک با ضخامت 8 نانو متر میتواند اهداف جریان خاموش برابر با3 نانوآمپر بر میکرومتر و جریان روشن آن برابر با 600 میکرو آمپر بر میکرومتر را برای طول گیت 25 نانومتر برآورده سازد. طول گیتکوتاهتر می تواند با تغییر مقیاس ضخامت بدنه فوق نازک انطباق یابد.

Keywords:

الکترونیک , ترانزیستور , ماسفت , سیلیکون بر عایق