تقویت کننده کم نویز تمام تفاضلی CMOS با سطح منبع تغذیه پایین و بهره توان بالا برای کاربردهای فراپهن باند
عنوان مقاله: تقویت کننده کم نویز تمام تفاضلی CMOS با سطح منبع تغذیه پایین و بهره توان بالا برای کاربردهای فراپهن باند
شناسه ملی مقاله: JR_ELEMAG-3-4_006
منتشر شده در شماره 4 دوره 3 فصل در سال 1394
شناسه ملی مقاله: JR_ELEMAG-3-4_006
منتشر شده در شماره 4 دوره 3 فصل در سال 1394
مشخصات نویسندگان مقاله:
مجید تکبیری - دانشگاه بیرجند
ابوالفضل بیجاری - دانشگاه بیرجند
سید محمد رضوی - دانشگاه بیرجند
خلاصه مقاله:
مجید تکبیری - دانشگاه بیرجند
ابوالفضل بیجاری - دانشگاه بیرجند
سید محمد رضوی - دانشگاه بیرجند
در این مقاله یک تقویت کننده کم نویز تمام تفاضلی جدید برای کاربردهای فراپهن باند ارائه شده است. تقویت کننده پیشنهادشده شامل طبقه ی ورودی گیت مشترک برای بهبود تطبیق امپدانس و طبقه دوم سورس مشترک برای افزایش بهره و کاهش نویز تقویت کننده است. همچنین از فیدبک ترانزیستوری موازی-موازی برای افزودن درجه آزادی در انتخاب ترارسانایی ترانزیستور ورودی و بهبود پهنای باند و خطسانی استفاده شده است. تقویت کننده کم نویز پیشنهادشده بر اساس فناوری µm 18/0 CMOS RF-TSMC طراحی و با استفاده از نرم افزار ADS شبیه سازی شده است. این تقویت کننده در پهنای باند GHz 7-4، دارای بهره توان مسطح (S21) dB 25/0± 17، عدد نویز کمتر از dB 7/2، تلفات بازگشتی ورودی (S11) کمتر از dB 10- و خطسانی (IIP3) dBm 1- است. توان مصرفی آن نیز mW 5/8 از منبع تغذیه V 75/0 است.
کلمات کلیدی: تقویت کننده کم نویز, تمام تفاضلی, خطسانی, فیدبک موازی-موازی
صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/1008838/