ترانزیستور اثر میدان تونلی استوانه ای با ساختار نامتجانس مبتنی بر تونل زنی عمودی

در این مقاله یک ترانزیستور اثر میدان تونلی )تیفت( عمودی استوانه ای پیشنهاد و ارزیابی شده است. در این افزاره تونل زنی به صورت عمودی اتفاق افتاده و یک لایه spacer برای کنترل بهتر بر روی جریان نشتی و همچنین کنترل جداگانه بر روی جریان نشتی و جریان حالت روشن پیشبینی شده است. در این افزاره جریان درایو قابل توجه و در حدود 10 - 5 A میباشد و نسبت جریان حالت روشن به جریان حالت خاموش (ION/IOFF) در حدود 10 13 میباشد.شیب زیر آستانه در این افزاره به مقدار 7/8 mv/dec میرسد. کلیه شبیه سازی ها توسط نرم افزار TCAD انجام شده است. همچنین اثرات مختلفی همچون تاثیر ضخامت spacer و ضخامت کانال بر روی جریان مورد بررسی قرار گرفته است.

Keywords:

ترانزیستور اثر میدان تونلی , تونل زنی عمودی , نسبت جریان روشن به خاموش