نسبیه صابری پیروز - پژوهشکده لیزر پلاسما، دانشگاه شهید بهشتی (کارشناسی ارشد)
مرضیه عباسی فیروزجاه - دانشکده مهندسی، دانشگاه فناوری های نوین سبزوار، سبزوار (استادیار)
سید ایمان حسینی - دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شاهرود (استادیار)
بابک شکری - دانشکده فیزیک، دانشگاه شهید بهشتی (استاد)

لایه های نازک کربنی بر روی زیرلایه ی سیلیکون که بر روی آن یک لایه نازک دی الکتریک از جنس سیلیکون دی اکسید پوشش دهی شده است، به روش رسوب گذاری بخار شیمیایی پلاسما لایه نشانی شده اند. این لایه ها با استفاده از گاز استیلن و متان در توان 500 وات و در مدت زمان های مختلفی تولید شدند. پس از اندازه گیری ضخامت لایه ها، اثر آن بر روی مقاومت الکتریکی لایه های تولید شدهد برای هر دو مورد گاز متان و استیلن مورد بررسی قرار گرفته است. ضخامت لایه های لایه نشانی شده با استفاده از دستگاه بیضی سنجی اندازه گیری شده است. همچنین مقاومت الکتریکی لایه های تولید شده با استفاده از دستگاه پروب چهار نقطه ای به دست آمده است. نتایج نشان می دهد با افزایش لایه نشانی که از این طریق لایه های با ضخامت های بیشتری تولید شده است، مقاومت لایه ها کاهش یافته است.

رسوب گذاری بخار شیمیایی پلاسما، مقاومت سطحی، پروب چهار نقطه ای، لایه نازک کربنی، زمان لایه نشانی، گاز متان، گاز استیلن