رشد بهینه نانولوله های کربنی آرایه ای کاملا هم راستا به روش نشست شیمیایی بخار

نانولوله های کربنی آرای های کاملا هم راستا با روش رسوب دهی شیمیایی بخار در فشار اتمسفری بر روی زیرلایه ای از جنس سیلیکون در دو آهنگ شارش منبع کربنی برابر با 28 و sccm 38 تولید شدند. از گاز استیلن C2H2 به عنوان منبع کربنی ٬ گاز آرگون Ar به عنوان گاز حامل ٬ گاز هیدروژن h2 برای احیای نانوذرات و از نانوذرات آهن به عنوان منبع کاتالیستی در دمای 800 ̊C برای رشد آرایه ای نانولوله های کربنی استفاده شده است. واکنش درون یک لوله کوارتز به طول cm 48 انجام شده و گازها با آهنگ شارش مشخص به درون آن تزریق شدند. زیرلایه سیلیکونی با استفاده از روش کندوپاش مغناطیسی توسط نانوذرات کاتالیستی آهن با ضخامت در محدوده nm 3-6 پوشش داده شد. نتایج آنالیز FESEM نشان داد که با افزایش آهنگ شارش منبع کربنی ٬ قطر متوسط نانولوله های کربنی رشد داده شده نیز افزایش یافته است. این در حالی است که تراکم و کیفیت رشد آرایه ای نانولوله های کربنی کاهش پیدا کرده است.

Keywords:

نانولوله های کربنی آرایه ای کاملا هم راستا ٬ نانوذرات آهن ٬ رسو بدهی شیمیایی بخار در فشار اتمسفری ٬ آنالیز FESEM , گاز استیلن.