بررسی تاثیر کاشت یون نیتروژن بر خواص لایه نازک اکسید روی (ZnO)

Publish Year: 1398
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 617

This Paper With 8 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

JR_JAPAZ-9-2_004

تاریخ نمایه سازی: 7 مرداد 1399

Abstract:

در این پژوهش، اثر کاشت یون +N در نیم رسانای ZnO (اکسید روی) جهت بررسی تغییرات خواص لایه نازک ZnO  بررسی شده است. بدین منظور لایه نازکی از ZnO به ضخامت nm 120 با استفاده از روش کندوپاش تهیه شد و سپس به وسیله یون­های N+ با انرژی keV 50 و شار 1014 (/cm2یون) به مدت زمان 3 ثانیه بمباران شد. تاثیر کاشت یون+N در خواص بلوری ZnO توسط آنالیزXRD (پراش پرتو X) و تغییرات ریخت­شناسی سطح به وسیله آنالیزهای AFM و SEM بررسی شد. در ادامه، رسانندگی الکتریکی و مقاومت الکتریکی نیز توسط دستگاه کاونده نقطه­ای بررسی شد. از مقایسه الگوی پراش XRD از نمونه، قبل و بعد از کاشت یون، دریافتیم که خواص بلوری دستخوش تغییرات خاصی نشده است و تنها انتقال بسیار کوچکی به سمت زاویای کوچک تر وجود دارد. در تحلیل نتایج به دست آمده از AFM قبل و بعد از کاشت یون کاهش دوبرابری در مقدار ناهمواری های سطح اکسید روی به چشم می خورد که اثر مثبت کاشت یون نیتروژن را در این لایه­ها نشان می­دهد. همچنین در بررسی تصاویر SEM مشاهده شد که پس از کاشت یون نیتروژن، یکنواختی ذرات بیشتر شده است. مقایسه داده­های حاصل از رسانندگی هم نشان داد که کاشت یون نیتروژن سبب افزایش مقاومت در ساختار اکسید روی جهت استفاده در عایق­سازی نواحی مشخص می­شود.

Authors

فاطمه عظیمی

گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه ملایر

ابراهیم غلامی حاتم

گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه ملایر

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • Ogata K., Maejima K., Fujita S., Fujita S., ZnO growth ...
  • Zhang Z., Kang Z., Liao Q., Zhang X., Zhang Y., ...
  • Yakimova R., Selegard L., Khranovskyy V., Pearce R., Spetz A.L., ...
  • Mughal A.J., Carberry B., Oh S.H., Myzaferi A., Speck J.S., ...
  • Tagliente M.A., Massaro M., Mattei G., Mazzoldi P., Pellegrini G., ...
  • Ham Y.J., Park J.K., Lee W., Lee C.E., Park W., ...
  • Munder I., Helbig R., Lagois J., The influence of ion ...
  • Jeong T.S., Han M.S., Youn C.J., Park Y.S., Raman scattering ...
  • Look D.C., Claflin B., Electrical and Optical Properties of n-type ...
  • Chen Z.Q., Sekiguchi T., Yuan X.L., Maekawa M., Kawasuso A., ...
  • Yaqoob F., Huang M., Effects of Hydrogen Ion Implantation on ...
  • Wang H., Gao X., Duan Q., Lu J., Variation of ...
  • Zhou Z., Kato K., Komaki T., Yoshino M., Yukawa H., ...
  • Ziegler J.F., Ziegler M.D., Biersack J.P., SRIM – The stopping ...
  • Zhou Z. , Effects of hydrogen doping through ion implantation ...
  • نمایش کامل مراجع