حجت اله حمیدی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد دورود

هدف از این مقاله طراحی و رشد یک سلول خورشیدی به روش MBE رونشستی پرتو مولکولی می باشد این سلول خورشدی از طریق رشد یک لایه با ضخامت چند اتم از جنس GaAs نوع n با ناخالصی سیلیکون برروی زیرلایه ای از جنس GaAs نوع p با چگالی معین رشد داده می شود رشد این لایه گالیم ارسناید توسط دستگاه MBE صورت گرفته است زیرا دستگاه رونشستی با کمک پرتو مولکولی قادر است لایه هایی از نیمه هادیهای مختلف را برروی زیرلایه نیمه هادی گالیم ارسناید بنشاند دراین روش تحت خلا بسیار بالای torr 10-1 پرتوهای مولکولی عناصر گالیم ارسناید با جهت 001 نشانده شده است مشخصه نگاری در هنگام رشد توسط سیستم پراش بازتابی الکترون پرانرژی RHEED و پس از رشد توسط روشهای C-V,I-V صورت گرفته است تایید میزان ناخالصی توسط تکنیک Electrochemical Capacitance-Voltage Profiling )ECV و ازمایشات مربوط به میزان بازدهی سلول خورشیدی براثر تابش نور لامپ ازمایشگاهی انجام می گیرد.

سلول خورشیدی، رونشستی پرتو مولکولی MBE، گالیم ارسناید GaAs