حجت اله حمیدی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد دورود

هدف ازاین مقاله طراحی یک سنسور مغناطیسی اثر هال با استفاده از نیمه هادی گالیم ارسناید به روش رشد رونشستی پرتو مولکولی MBE:Molecular Beam Epetaxcy می باشد لایه گالیم ارسناید رشد داده شده به فرم چهار پر clover leaf شکل داده شده برای ساخت سنسور مورد استفاده قرار گرفته برای ایجاد کنتاکتهای الکتریکی برروی لایه از قلع استفاده شده است

گالیم ارسناید، رونشستی پرتومولکولی، سنسور مغناطیسی