استفاده از لایه های نانومتری دی اکسید قلع به منظور افزایش سیگنال کر مغناطیسی درساختار Cu/Co/SnO2 برای کاربرد حافظه ای
عنوان مقاله: استفاده از لایه های نانومتری دی اکسید قلع به منظور افزایش سیگنال کر مغناطیسی درساختار Cu/Co/SnO2 برای کاربرد حافظه ای
شناسه ملی مقاله: NNTC01_383
منتشر شده در اولین کنفرانس ملی علوم و فناوری نانو در سال 1389
شناسه ملی مقاله: NNTC01_383
منتشر شده در اولین کنفرانس ملی علوم و فناوری نانو در سال 1389
مشخصات نویسندگان مقاله:
مهرداد مرادی - پژوهشکده علوم و فناوری نانو دانشگاه کاشان
مجید قناعت شعار - پژوهشکده لیزر و پلاسما دانشگاه شهید بهشتی تهران
خلاصه مقاله:
مهرداد مرادی - پژوهشکده علوم و فناوری نانو دانشگاه کاشان
مجید قناعت شعار - پژوهشکده لیزر و پلاسما دانشگاه شهید بهشتی تهران
در دنیای فناوری اطلاعات ثبت و خواندن اطلاعات با سرعت بالا یکی از مهمترین بحث ها را به خود اختصاص داده است امروزه از لایه های نازک مغناطیسی به عنوا ن حافظه های مغناطیسی و از اثر مگنتواپتیکی کر به عنوان ابزاری برای خواندن اطلاعات از روی آنها استفاده می شود اغلب فلزات واسطه اثرکر کوچکتر از یک درجه در دمای اتاق دارند که باعث عدم دقت در فرایند خواندن اطلاعات می شود با کوچک شدن نواحی احتمال کاهش این اثر بیشتر نیز خواهد شد. دراین مقاله تلاش شده است که ساختار چند لایه ای Cu/Co/SnO2 با توجه به ضخامت لایه دی اکسید قلع به گونه ای طراحی شود که سیگنال کر در آن افزایش یابد.
صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/103955/