بررسی ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی چندجداره و نقش درجه حرارت محیط بر انها
Publish place: 1st National Conference on Nano Science and Technology
Publish Year: 1389
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,150
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NNTC01_596
تاریخ نمایه سازی: 8 آبان 1389
Abstract:
دراین مقاله ترانزیستورهای اثر میدان ساخته شده با استفاده از نانولوله های کربنی چند جداره مورد بررسی قرار می گیرند سپس نحوه ساخت و مشخصات آنها ذکر می گردد نقش درجه حرارت محیط بر نانولوله های کربنی ترانزیستورهای اثر میدان چند جداره دیگر مباحث مطرح شده دراین تحقیق می باشد در پایان با توجه به مطالب بیان شده نتیجه گیری صورت می گیرد.
Keywords:
Authors
فخرالسادات رستگاری
دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد
فرحناز ذاکریان
دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات باشگاه پژوهشگران جوان
فروغ السادات رستگاری
دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :