بررسی ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی چندجداره و نقش درجه حرارت محیط بر انها

Publish Year: 1389
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,150

متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

NNTC01_596

تاریخ نمایه سازی: 8 آبان 1389

Abstract:

دراین مقاله ترانزیستورهای اثر میدان ساخته شده با استفاده از نانولوله های کربنی چند جداره مورد بررسی قرار می گیرند سپس نحوه ساخت و مشخصات آنها ذکر می گردد نقش درجه حرارت محیط بر نانولوله های کربنی ترانزیستورهای اثر میدان چند جداره دیگر مباحث مطرح شده دراین تحقیق می باشد در پایان با توجه به مطالب بیان شده نتیجه گیری صورت می گیرد.

Authors

فخرالسادات رستگاری

دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد

فرحناز ذاکریان

دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات باشگاه پژوهشگران جوان

فروغ السادات رستگاری

دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • یآرستگاری.فخرا لسا د ا ت _ ذ اکریا _ _ ...
  • _ Conference on Nano Science & Nano Technology, YAZD, 16-18 ...
  • - Carbon Nonotube Field-Effect Tronsistors، ECE497NC Lecture 14، 2004. ...
  • D. T. Colbert 1, J. Zhang 1, S. M. McClure ...
  • Weaver 2, A. G. Rinzler 1, and R. E. Smalley ...
  • Lundstrom، "Carbon Nanotube Field-Effect Transistors"، International Journal of Speed Electronics ...
  • Composits Science and Technology 68, 572- 581, 2008. ...
  • نمایش کامل مراجع