بررسی تاثیر تغییرات ضریب عبور کانال برروی جریان نانوماسفت
Publish place: 1st National Conference on Nano Science and Technology
Publish Year: 1389
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 858
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NNTC01_648
تاریخ نمایه سازی: 8 آبان 1389
Abstract:
برای داشتن نانوماسفت ایده ال کانال ترانزیستور به گونه ای طراحی می گردد که ضریب عبور کانال به حالت ایده ال نزدیک گردد در این مقاله ضمن بررسی جریان نانوترانزیستور در بایاس های بالا و پایین درین رابطه ی بین جریان و پارامتر ضریب عبور کانال بررسی گردیده است در ادامه به این موضوع پرداخته شد که چرا قطعات امروزی نسبتا نزدیک به حد بالیستیک عمل می کنند برای روشن شدن این مطلب پارامتر B تعریف گردیده و مشخص شد که یک قطعه که جریانی بسیار نزدیک بالیستیک دراد این گونه نیست که پراکندگی ضعیف داشته باشد بلکه کافیست که فاکتور B نزدیک به یک باشد.
Authors
اشرف السادات ضیایی بافقی
بافق دانشگاه آزاد اسلامی واحد بافق گروه برق
فرامرز کنجوری
تهران دانشگاه شاهد دانشکده فیزیک
علیرضا زاده بافقی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد بافق گروه عمران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :