اشرف السادات ضیایی بافقی - بافق دانشگاه آزاد اسلامی واحد بافق گروه برق
فرامرز کنجوری - تهران دانشگاه شاهد دانشکده فیزیک
علیرضا زاده بافقی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد بافق گروه عمران

برای داشتن نانوماسفت ایده ال کانال ترانزیستور به گونه ای طراحی می گردد که ضریب عبور کانال به حالت ایده ال نزدیک گردد در این مقاله ضمن بررسی جریان نانوترانزیستور در بایاس های بالا و پایین درین رابطه ی بین جریان و پارامتر ضریب عبور کانال بررسی گردیده است در ادامه به این موضوع پرداخته شد که چرا قطعات امروزی نسبتا نزدیک به حد بالیستیک عمل می کنند برای روشن شدن این مطلب پارامتر B تعریف گردیده و مشخص شد که یک قطعه که جریانی بسیار نزدیک بالیستیک دراد این گونه نیست که پراکندگی ضعیف داشته باشد بلکه کافیست که فاکتور B نزدیک به یک باشد.