محمد سروش - اهواز دانشگاه شهید چمران دانشکده مهندسی استادیار گروه برق الکترونی

با استفاده از یک مدل دو دره ای برای الکترونها و دو باندی برای حفره ها پدیده یونیزاسیون برخوردی و شکست بهمنی در ساختار PIN را برای InP شبیه سازی می کنیم با در نظر گرفتن تقریب کلدیش برای اهنگ یونیزاسیون برخوردی ضریب های یونیزاسیون برخوردی الکترون و حفره در InP را بدست می اوریم و باداده های ازمایشگاهی دیگران مقایسه می کنیم سپس بهره و ولتاژ شکست افزاره را نیز محاسبه کرده و نتیجه شبیه سازی را براساس داده های عملی مورد ارزیابی قرار می دهیم.

اشکارسازهای نوری، شکست بهمنی، مونت کارلو