مریم نیری - عضو هیئت علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد
فاطمه کهنی خشکبیجاری - دانشگاه آزاد اسلامی واحد لاهیجان
مهدیه نیری - دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد

افزایش کارایی در ماسفت ها با کوچک کردن ابعاد افزاره و ورودبه نظام نانومتری حاصل می شود روند کاهش ابعاد ترانزیستورها در ابعاد نانو با وجو د مزیتهای آن مشکلاتی را پدید می اورد که به اثار کانال کوتاه معروفند و موجب ضعف عملکرد و افزایش توان تلفاتی دراین افزاره ها می گردند برای رفع مشکلات فوق روشهای نوینی به کار گرفته می شوند از جمله این روشها افزایش تراکم ناخالصی ناحیه کانال کاهش ضخامت اکسیدگیت و ساختارهای جدیدی نظیر ساختار سیلیسیم برروی عایق و ساختارهای ناهمگون می باشد استفادهاز این ساختارهای نوین علاوه بر افزایش قابلیت تحرک موجب افزایش سرعت و عملکرد افزاره می شود از این رود ر کاربردهای سامانه های دیجیتالی و حافظه های منطقی، افزاره های دارای کانال ناهمگون گزینه مناسبی برای جایگزینی ترانزیستورهای ماسفت مرسوم می باشد.

اثار کانال کوتاه، ترانزیستور های ماسفت، مقیاس نانو