بررسی ساختار فیزیکی ممریستور و شبیه سازی آن
Publish place: 1st National Conference on Nano Science and Technology
Publish Year: 1389
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,653
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NNTC01_695
تاریخ نمایه سازی: 8 آبان 1389
Abstract:
ممریستور مقاومت حافظه داری است که رفتاری انالوگی دارد یعنی مقاومت آن بین دو حالت با مقاومت حداقل و مقاومت حداکثر قابل برنامه ریزی می باشد و مقادیر تا اعمال ولتاژ برنامه ریزی بعدی حفظ و ذخیره می شوند این عنصر به عنوان خاصیتی از ماده زمانی خود را نشان خواهد داد که از مواد و دستگاهی در ابعاد نانومتر استفاده شود مداری که شامل ممریستور باشد می تواند مزایایی چون کارایی بهتر تعداد اجزای کمتر و در مقابل سطح تراشه و میزان مصرف انرژی کمتر را هم زمان داشته باشد بنابراین در این مقاله با توجه به فواید ممریستور به بررسی جزئیات رفتار این عنصر با تغییر پارامترهای ان مانند فرکانس، ولتاژ ورودی، تغییرات مقاومت RON ,ROFF با کمک مدلی که برای شبیه سازی طراحی شده است پرداخته می شود.
Keywords:
Authors
فرحناز ذاکریان
تهران دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران
ستار میرزاکوچکی
تهران دانشگاه علم و صنعت تهران
افسانه شادارام
تهران دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :