فرحناز ذاکریان - تهران دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران
ستار میرزاکوچکی - تهران دانشگاه علم و صنعت تهران
افسانه شادارام - تهران دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران

ممریستور مقاومت حافظه داری است که رفتاری انالوگی دارد یعنی مقاومت آن بین دو حالت با مقاومت حداقل و مقاومت حداکثر قابل برنامه ریزی می باشد و مقادیر تا اعمال ولتاژ برنامه ریزی بعدی حفظ و ذخیره می شوند این عنصر به عنوان خاصیتی از ماده زمانی خود را نشان خواهد داد که از مواد و دستگاهی در ابعاد نانومتر استفاده شود مداری که شامل ممریستور باشد می تواند مزایایی چون کارایی بهتر تعداد اجزای کمتر و در مقابل سطح تراشه و میزان مصرف انرژی کمتر را هم زمان داشته باشد بنابراین در این مقاله با توجه به فواید ممریستور به بررسی جزئیات رفتار این عنصر با تغییر پارامترهای ان مانند فرکانس، ولتاژ ورودی، تغییرات مقاومت RON ,ROFF با کمک مدلی که برای شبیه سازی طراحی شده است پرداخته می شود.

لایه نازک، ممریستور، ساختار فیزیکی، شبیه سازی مداری