جواد نعمت اللهی - گروه اتمی مولکولی دانشکده فیزیک دانشگاه یزد،
عباس بهجت - گروه پژوهشی فوتونیک، مرکز تحقیقات مهندسی، دانشگاه یزد
محمود برهانی زرندی - گروه پژوهشی فوتونیک، مرکز تحقیقات مهندسی، دانشگاه یزد

مدلی عددی را برای محاسبهی فروافت ولتاژ مدار باز در سلولهای خورشیدی حساس شده با رنگدانه پیشنهاد کردهایم. این مدل بر اساس حل عددی معادله پیوستگی بصورت تابعی از ولتاژ، برای نقل و انتقال الکترون، با ضریب انتشار و ثابت باز ترکیب وابسته به چگالی الکترون میباشد. در این مقاله فروافت ولتاژ مدار باز را برای دو حالت یکی در سطح اکسید تیتانیم نانوساختار با جنبشهای محدود شده بوسیلهی نقل و انتقال و دیگری در لایهی اکسید رسانای شفافTCOبا در نظرگرفتن و استفاده از معادلهی باتلر-ولمرمحاسبه کردهایم.

سلول خورشیدی، معادلهی پیوستگی، نانو ساختار، نقل و انتقال الکترون، ولتاژ مدار باز