محمدحسین مجلس ارا - آزمایشگاه فوتونیک، دانشگاه تربیت معلم تهران، تهران
زهرا جوادی - آزمایشگاه فوتونیک، دانشگاه تربیت معلم تهران، تهران
محمود ابراهیم زاده پوستچی - گروه فیزیک ، دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی
رضا گلزاریان - گروه فیزیک ، دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی

در این مقاله نانوذراتCdTeسنتز شده و طیف جذب مرئی از آن گرفته شده است که نشان دهنده قلۀ جذبی در حدnm450می باشد. سپس با استفاده از الگوی پراشXRDو تصویرSEMاندازه این نانوذرات درحدnm57تعیین شده است. با استفادهاز لیزر پیوستۀHe-Ne (λ=632.8 nm) اندازه و علامت ضرایب شکست و جذب غیرخطی مرتبۀ دوم این نانوذرات با استفاده از آزمایشجاروبz- روزنه بسته و روزنه باز تعیین گردیده و پذیرفتاری مرتبه سوم غیر خطی برای چند شدت مختلف محاسبه شده است

پذیرفتاری مرتبه سوم غیر خطی ، جاروبz-ضریب جذب غیرخطی، ضریب شکست غیرخطی ، قلۀ جذب اکسیتونی