رشد و مشخصه یابی الکتریکی لایه نازک فریت بیسموت با استفاده از روش لایه نشانی لیزری
عنوان مقاله: رشد و مشخصه یابی الکتریکی لایه نازک فریت بیسموت با استفاده از روش لایه نشانی لیزری
شناسه ملی مقاله: ICOPTICP17_337
منتشر شده در هفدهمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران و سومین کنفرانس مهندسی فوتونیک ایران در سال 1389
شناسه ملی مقاله: ICOPTICP17_337
منتشر شده در هفدهمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران و سومین کنفرانس مهندسی فوتونیک ایران در سال 1389
مشخصات نویسندگان مقاله:
منصوره کریمی - پژوهشکده لیزر و پلاسما دانشگاه شهید بهشتی تهران
سیده مهری حمیدی - پژوهشکده لیزر و پلاسما دانشگاه شهید بهشتی تهران
محمدمهدی طهرانچی - پژوهشکده لیزر و پلاسما دانشگاه شهید بهشتی تهران
خلاصه مقاله:
منصوره کریمی - پژوهشکده لیزر و پلاسما دانشگاه شهید بهشتی تهران
سیده مهری حمیدی - پژوهشکده لیزر و پلاسما دانشگاه شهید بهشتی تهران
محمدمهدی طهرانچی - پژوهشکده لیزر و پلاسما دانشگاه شهید بهشتی تهران
مواد مگنتوفروالکتریک به دلیل دارا بودن خواص الکتریکی و مغناطیسی قابل کنترل مورد توجه فراوان قرارگرفته است دراین تحقیق لایه نازک فریت بیسموت با کمک روش لایه نشانی لیزری تهیه شده و به کمک لایه نازک طلا پوشش پذیرفته است مشخصه یابی ساختاری سطح و پسماند الکتریکی این ترکیب با کمک طرح پراش پرتوایکس تصویربرداریمیکروسکوپ الکترونی و چیدمان اندازه گیری خواص الکتریکی مورد تحقیق قرارگرفته است نتایج به دست آمده بیانگر مفید بودن این ترکیبات در کاربردهای حافظه الکتریکی است.
کلمات کلیدی: فریت بیسموت، لایه نشانی لیزری، پسماند الکتریکی
صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/105277/