ویژگی های الکتریکی سطح Si100 درنانوساختار Si/SiGe/Si

Publish Year: 1399
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 506

This Paper With 9 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

FMCBC02_003

تاریخ نمایه سازی: 15 مهر 1399

Abstract:

موقعیت تراز فرمی نسبت به لبه نوار ظرفیت و چگالی بارهاي سطحی در سطح Si100 در ساختارهاي Si/SiGe/Si که بروش MBF رشد یافته است از طریق آزمایش هال محاسبه شده است. وابستگی چگالی گاز حفره اي دوبعدي شکل گرفته در چاه کوانتومی SiGe به پارامترهاي ساختاري و به بارهاي سطحی شرح داده شده است. تقریب بکار گرفته براساس مدل انتقال بار Charge Transfer و مدل چسبگاه میان گاف MPM است.

Keywords:

نانوساختار Si/SiGe/Si , تراز فرمی , سطح Si100 , گاز حفره ای دوبعدی , بارهای سطحی , انتقال بار , چسب گاه میان گاف

Authors

مریم قلی زاده آرشتی

دانشکده فیزیک دانشگاه اسلامی واحد یادگار امام خمینی (ره) شهرری ،تهران،ایران

لیدا بابازاده حبشی

دانشکده فیزیک دانشگاه اسلامی واحد یادگار امام خمینی (ره) شهرری ،تهران،ایران

مرجان کمالیان

دانشکده فیزیک دانشگاه اسلامی واحد یادگار امام خمینی (ره) شهرری ،تهران،ایران