مریم قلی زاده آرشتی - دانشکده فیزیک دانشگاه اسلامی واحد یادگار امام خمینی (ره) شهرری ،تهران،ایران
لیدا بابازاده حبشی - دانشکده فیزیک دانشگاه اسلامی واحد یادگار امام خمینی (ره) شهرری ،تهران،ایران
مرجان کمالیان - دانشکده فیزیک دانشگاه اسلامی واحد یادگار امام خمینی (ره) شهرری ،تهران،ایران

موقعیت تراز فرمی نسبت به لبه نوار ظرفیت و چگالی بارهاي سطحی در سطح Si100 در ساختارهاي Si/SiGe/Si که بروش MBF رشد یافته است از طریق آزمایش هال محاسبه شده است. وابستگی چگالی گاز حفره اي دوبعدي شکل گرفته در چاه کوانتومی SiGe به پارامترهاي ساختاري و به بارهاي سطحی شرح داده شده است. تقریب بکار گرفته براساس مدل انتقال بار Charge Transfer و مدل چسبگاه میان گاف MPM است.

نانوساختار Si/SiGe/Si، تراز فرمی، سطح Si100، گاز حفره ای دوبعدی، بارهای سطحی، انتقال بار، چسب گاه میان گاف