پروفایل تمرکز باربرها در LED با چاه کوانتومی As0.74Ga0.26Al تحت تاثیر مهاجرت
Publish place: 2nd Italian Conference on Mechanical Engineering, Electrical Engineering and Computer
Publish Year: 1399
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 688
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CMECE02_008
تاریخ نمایه سازی: 15 مهر 1399
Abstract:
مهاجرت یا تفکیک segregation یک فرایند ذاتاً نامتقارن است که منعکس کننده یک رقابت لایه به لایه بوده و در طول رشد اتفاق می افتد. ضروری ترین مشکل در ترکیبات و آلیاژهای گروه III-V در رشد پرتو مولکولی MBE ، مهاجرت یا تفکیک سطح از عناصر گروه III است. مهاجرت اتم های ستون III در طول رشد MBE ترکیبات نیمه هادی III-III'-V باعث ایجاد یک ترکیب سطحی متفاوت از بخش bulk و انحراف قابل توجه پروفایل های تمرکز باربرها از پروفایل های مستطیل شکل مورد انتظار می شود. رابط نقش عمده ای در ساختارهای نامتناجس و خواص دستگاه های تابش کننده نور دارد و به دلیل مهاجرت اتمی میان سطحی، رابط ناگهانی abrupt interface بین ترکیبات نیمه هادی مختلف یک چالش محسوب می شود. در این مقاله با استفاده از مدل جنبشی و با نرم افزار MATLAB به شبیه سازی پروفایل تمرکز باربرها در LED با چاه کوانتومی As0.74Ga0.26Al تحت تاثیر مهاجرت اتم ها پرداخته و نتیجه گرفته که پروفایل تمرکز باربرها برخلاف تصور مستطیلی شکل بودن آن دارای انحرافاتی می باشد. همچنین به بررسی تغییرات دما در پروفایل فوق پرداخته و مشاهده کرده که با کاهش دمای رشد از ° 600C به ° 400C مهاجرت Ga و Al کاهش می یابد.
Keywords:
Authors
متینه سادات حسینی قیداری
دانشگاه علم و صنعت ایران
وحیدرضا یزدان پناه
دانشگاه علم و صنعت ایران