متینه سادات حسینی قیداری - دانشگاه علم و صنعت ایران
وحیدرضا یزدان پناه - دانشگاه علم و صنعت ایران

مهاجرت یا تفکیک segregation یک فرایند ذاتاً نامتقارن است که منعکس کننده یک رقابت لایه به لایه بوده و در طول رشد اتفاق می افتد. ضروری ترین مشکل در ترکیبات و آلیاژهای گروه III-V در رشد پرتو مولکولی MBE ، مهاجرت یا تفکیک سطح از عناصر گروه III است. مهاجرت اتم های ستون III در طول رشد MBE ترکیبات نیمه هادی III-III'-V باعث ایجاد یک ترکیب سطحی متفاوت از بخش bulk و انحراف قابل توجه پروفایل های تمرکز باربرها از پروفایل های مستطیل شکل مورد انتظار می شود. رابط نقش عمده ای در ساختارهای نامتناجس و خواص دستگاه های تابش کننده نور دارد و به دلیل مهاجرت اتمی میان سطحی، رابط ناگهانی abrupt interface بین ترکیبات نیمه هادی مختلف یک چالش محسوب می شود. در این مقاله با استفاده از مدل جنبشی و با نرم افزار MATLAB به شبیه سازی پروفایل تمرکز باربرها در LED با چاه کوانتومی As0.74Ga0.26Al تحت تاثیر مهاجرت اتم ها پرداخته و نتیجه گرفته که پروفایل تمرکز باربرها برخلاف تصور مستطیلی شکل بودن آن دارای انحرافاتی می باشد. همچنین به بررسی تغییرات دما در پروفایل فوق پرداخته و مشاهده کرده که با کاهش دمای رشد از ° 600C به ° 400C مهاجرت Ga و Al کاهش می یابد.

مهاجرت، پروفایل تمرکز باربرها، ترکیبات V-III ، مدل جنبشی، As0.7a0.26Al- LED_