روش جدید تعیین ویژگی های الکتریکی دیود نیمه هادی در بایاس مستقیم
Publish place: 6th National Conference on Defense Science and Engineering
Publish Year: 1398
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 418
This Paper With 14 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ECDS06_037
تاریخ نمایه سازی: 11 آبان 1399
Abstract:
روش غیرمخرب جدید برای تعیین ویژگی های دیود نیمه هادی با استفاده از اندازه گیری AV (هدایت ظاهری – ولتاژ) در تمایل رو به جلو (بایاس) ارائه شده است. برای این روش ، بخش خیالی و واقعی به صورت همزمان مورد توجه قرار گرفته اند تا پارامترهای دقیق دیود مانند مقاومت سری ، ظرفیت اتصال ، ولتاژ اتصال و عامل ایده آل در بایاس های رو به جلوی گوناگون مشخص شود. همچنین می توان از این روش برای تشخیص و اندازه گیری های لایة سطح مشترک در دیود واقعی استفاده نمود. با این روش ، دیودهای شاتکلی NGAN با تماس اهمی گوناگون مورد بررسی قرار گرفته اند. اندازه گیری ها نشان می دهند که ظرفیت منفی عمدة دیودهای شاتکلی شامل تأثیر اتصال بر لایة سطح مشترک را می توان به عنوان ساختار لایه با مقاومت غیرخطی و ظرفیت به حساب آورد.
Keywords:
Authors
غلامعلی خوشگو
دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه جامع امام حسین (ع)
سید محمد علوی
استاد دانشگاه جامع امام حسین (ع)