مهدی رنجبر - اصفهان، دانشگاه صنعتی اصفهان، دانشکده فیزیک،
هادی سلامتی - اصفهان، دانشگاه صنعتی اصفهان، دانشکده فیزیک،
زهرا خواجه میری - اصفهان، دانشگاه صنعتی اصفهان، دانشکده فیزیک،

در این مقاله، لایههای نازک اکسید تنگستن بر روی شیشه و سیلیکون به روش لیزر پالسی در محیطهای خلا و فشار جزیی اکسیژنmTorr)100 و در دماهای زیرلایه300-25 درجه سانتیگراد لایه نشانی شدهاند. خواص اپتیکی و مورفولوژی نمونه ها با اسپکتروفوتومتر نوری در محدودهnm800-200 و میکروسکوپ نیروی اتمی مطالعه شد. نتایج نشان داد عبور اپتیکی در لایهنشانی در فشار جزیی اکسیژن بیشتر از محیط خلا است در حالیکه نمونههای محیط خلا انعکاس بیشتری دارند. همچنین در محیط خلا سطوح هموارتری به دست میآید. به طور کلی با افزایشدمای زیرلایه یکنواختی لایه و خواصاپتیکی میتوانند بهبود یابند

لایهنشانی لیزر پالسی، اکسید تنگستن، خواصاپتیکی، مورفولوژی