بررسی عملکرد مالتی‌پلکسر سه ارزشی مبتنی بر ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی
Publish place: Tabriz Journal of Electrical Engineering، Vol: 50، Issue: 2
Publish Year: 1399
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 233
This Paper With 11 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_TJEE-50-2_038
تاریخ نمایه سازی: 4 آذر 1399
Abstract:
با توجه به کاهش مقیاس قطعات نیمه‌هادی و مدارات مجتمع تا میزان محدوده نانومتر، صنعت نیمه‌هادی با چالش‌های زیادی روبرو خواهد بود. ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله‌های کربنی به‌دلیل ابعاد بسیار کم، سرعت بالا و مصرف کم‌توان و همچنین به‌خاطر مشابه‌بودن عملکردشان با CMOS توجه طراحان مدارهای منطقی و سیستم دیجیتالی را جلب کرده‌اند. استفاده از منطق چند-ارزشی (MVL) به‌دلیل کاهش عملیات ریاضی، موجب کاهش سطح تراشه و کاهش توان مصرفی در مقایسه با منطق دو ارزشی می‌شود. در این مقاله یک طراحی جدید از مالتی‌پلکسر با منطق سه‌ارزشی مبتنی‌بر ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی (CNTFET) ارائه شده است. در نهایت، یک مقایسه از لحاظ توان و عملکرد مالتی‌پلکسر سه‌ارزشی CNTFET در برابر مالتی‌پلکسر سه‌ارزشی خانواده CMOS که طراحی آن نیز در این مقاله انجام شده، ارائه شده است. در ادامه نتایج شبیه‌سازی که با بهره‌گیری از نرم‌افزار HSPICE در تکنولوژی 32 نانومتر به‌دست آمده ارائه گردیده است. نتایج شبیه‌سازی بهبود 60% تا 65% در مقدار تأخیر، %96.4 تا 98% در مقدار توان مصرفی و تقریباً 99% در مقدار انرژی مصرفی مدار مالتی‌پلکسر سه ارزشی مبتنی‌بر CNTFET را نسبت به مدار مشابه مبتنی بر CMOS پیشنهادی نشان می‌دهد. همچنین PDP به‌میزان 99% بهبود می‌یابد.
Keywords:
Authors
الهام نیک بخت بیدگلی
دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر - دانشگاه کاشان
داریوش دیدبان
دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر - دانشگاه کاشان
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :