حافظه نوری فلش مبتنی بر نور کند در بلورهای فوتونی

در این مقاله، طراحی و شبیه‌سازی نوع جدیدی از حافظه‌های نوری مبتنی بر نور کند در ساختار بلور فوتونی نوع میله با شبکه شش‌ضلعی برای اولین بار ارائه می‌شود که کنترل فرآیند نوشتن، نگه‌داری و خواندن اطلاعات به صورت مستقل و با تغییر ضریب‌شکست صورت می‌گیرد. حافظه نوری معرفی‌شده از نوع فلش است که بر پایه‌ی مفهوم نور کند در بلورهای فوتونی به‌دست‌آمده و قابلیت کارکرد به صورت موازی و بر اساس روش مالتی‌پلکسینگ طول‌موج را دارد. حافظه برای عملکرد در طول‌موج کاری 1550 نانومتر با پهنای باند 1 نانومتر طراحی شده، هرچند عملکرد ساختار با استفاده از اصل مقیاس‌پذیری در بلورهای فوتونی به محدوده وسیعی از طول‌موج‌های باند مخابرات نوری قابل گسترش است. فاکتور کیفیت در محل سلول حافظه برای ساختار پیشنهادی برابر با 105´3.4 است که با افزایش سایز حافظه قابل ارتقاء است. طول عمر فوتون با لحاظ‌کردن فاکتور کیفیت 105´3.4  برابر با 0.6 نانوثانیه است. ویژگی‌های قابل توجه ساختار پیشنهادی برای حافظه نوری، امکان کنترل مستقل فرایند نوشتن و خواندن اطلاعات، اندازه کوچک، سرعت بالای فرایند خواندن و نوشتن، مدت زمان طولانی برای نگه‌داری حافظه و ایجاد تطبیق ضریب‌شکست گروه تقریباً برابر برای درگاه‌های ورودی/ خروجی و سلول حافظه‌است که باعث افزایش بازده الحاق می‌شود.

Keywords:

حافظه نوری فلش , بلور فوتونی , نور کند , فاکتور کیفیت