مخلوط‌کننده فعال پایین‌بر جدید با خطینگی بالا برای کاربردهایWLAN

Publish Year: 1399
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 264

This Paper With 12 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

JR_TJEE-50-3_011

تاریخ نمایه سازی: 4 آذر 1399

Abstract:

در این مقاله، یک مخلوط‌کننده فعال پایین‌بر جدید برای کاربرد در شبکه‌های محلی بی‌سیم (WLAN) ارائه می‌شود. مخلوط‌کننده پیشنهادشده در باند فرکانس رادیویی (RF) GHz 3-2 و فرکانس میانی (IF)MHz 100 با استفاده از فنّاوری µm CMOS 0.18و مدل شرکت TSMC طراحی شده است. در طبقه ترارسانایی RF، یک سلول دارلینگتون تمام تفاضلی جدید معرفی می‌شود. این زوج دارلینگتون تمام تفاضلی، باعث کاهش اثرات غیرخطی مرتبه‌سوم (IM3) در مسیر خروجی طبقه ترارسانایی (RF) شده و در نتیجه باعث افزایش خطینگی مخلوط‌کننده می‌شود. همچنین، استفاده از بار فعال با اتصال دیودی و تکنیک تزریق جریان در مخلوط‌کننده باعث بهبود بهره تبدیل و عملکرد نویز مدار می‌شود. مدار پیشنهادی با استفاده از نرم‌افزارهای ADS و Spectre-RF شبیه‌سازی شده است. نتایج شبیه‌سازی Post-Layout نشان می‌دهند که با انتخاب بایاس بهینه برای سلول دارلینگتون، نقطه تقاطع مرتبه‌سوم (IIP3) تا dBm 12.5 بهبود می‌یابد. همچنین مخلوط‌کننده پیشنهادی، از مجزاسازی بالا میان درگاه‌های ورودی و خروجی، بهره تبدیل (CG) dB 14، عدد نویز (DSB-NF) پایین dB 5 و تلفات بازگشتی ورودی (S11) کمتر از dB 20- در فرکانس ورودی GHz 2.4 برخوردار است. توان مصرفی مخلوط‌کنندهmW  17 در ولتاژ تغذیه 1.8v  است.

Authors

ابوالفضل بیجاری

گروه الکترونیک - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر - دانشگاه بیرجند

سلمان زندیان

گروه الکترونیک - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر - دانشگاه بیرجند

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • [1]      الهام بهرامی، حسین شمسی، «تقویت‌کننده لگاریتمی کم‌مصرف و کم‌نویز ...
  • [2]      Y. Kong and N. Yan, "High gain and low ...
  • [3]      پرویز امیری، محمود صیفوری، بابک آفرین، آوا هدایتی پور، ...
  • [4]      H. Li, A. M. El-Gabaly and C. E. Saavedra, ...
  • [5]      M. Vigilante and P. Reynaert, “On the Design of ...
  • [6]      W.-K. Chong, H. Ramiah, G.-H. Tan, N. Vitee and ...
  • [7]      M. Asghari and M. Yavari, “An IIP3 enhancement technique ...
  • [8]      M. B. Vahidfar and O. Shoaei, “A high IIP2 ...
  • [9]      Y.-S. Lin, M.-H. Kao, H.-R. Pan and K.-S. Lan, ...
  • [10]      H. B. Kia and A. K. Ain, “A high ...
  • [11]      M. Parvizi and A. Nabavi, “Low-power highly linear UWB ...
  • [12]      R. Mahmou and K. Faitah, “High linearity, low power ...
  • [13]      B. Guo, H. Wang and G. Yang, “A wideband ...
  • [14]      M. Mollaalipour and H. Miar-Naimi, “An improved high linearity ...
  • [15]      S. S. Ho and C. E. Saavedra, “A CMOS ...
  • [16]      B. Razavi and R. Behzad, RF microelectronics. Prentice Hall ...
  • نمایش کامل مراجع