افزایش ولتاژ شکست ترانزیستورهای با تحرک الکترون بالا بر پایهی نیترید گالیم با استفاده از صفحه میدان
Publish Year: 1399
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 384
This Paper With 8 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ELCM03_010
تاریخ نمایه سازی: 18 آذر 1399
Abstract:
یکی از انواع ترانزیستورهای اثرمیدانی، ترانزیستورهای با تحرک الکترون بالا ( HEMT ) می باشند که در فرکانس های بالاتر از ترانزیستورهای معمولی کار می کنند و در کاربردهای فرکانس بالا استفاده می شوند. اخیرا از بین انواع ترانزیستورهای HEMT ، نوع نیتریدگالیم به دلیل کارایی بالا در سیستم های توان بالا، بیشتر مورد توجه قرار گرفته است. در این مقاله با استفاده از نرم افزار Silvaco ساختاری جدید از HEMT های بر پایه ی نیترید گالیم شبیه سازی گردیده که ولتاژ شکست تا بیش از 1200 ولت بهبود داده شده است.ساختار طراحی شده از عایق و هندسه صفحه میدانی متفاوتی نسبت به سایر مقالات برخوردار می باشد.
Keywords:
Authors
میاده عشرتی یگانه
دانشجوی فارغ التحصیل از دانشگاه آزاد اسلامی، واحد رودهن، رودهن، ایران
حمیدرضا میرزایی
استاد راهنما، دانشگاه آزاد اسلامی، واحد رودهن، رودهن، ایران