Near Field and Far Field Characteristics of Bulk Semiconductors
Publish place: 6th National Conference on Applied Research in Electrical, Mechanical and Mechatronics Engineering
Publish Year: 1399
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: English
View: 225
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ELEMECHCONF06_064
تاریخ نمایه سازی: 22 آذر 1399
Abstract:
This study focuses on optical near field and far field of some dielectric bulks, constructed of recognized semiconductor materials including silicon (Si), Germanium (Ge), and Gallium Arsenide (GaAs). According to the simulation results, the utilized dielectric materials demonstrate different optical characteristics that make them suitable for relatively distinct applications. The study results are presented in the paper.
Keywords:
Authors
Nassibeh Ebadi
Roshdiyeh Higher Education Institute, Tabriz, Iran