طراحی و شبیه سازی بیوسنسور مبتنی بر ترانزیستور اثر میدان حساس به یون برای اندازه گیری غلظت پنی سیلین G با استفاده از تکنولوژی میکروسیالات

در این مقاله بیوسنسور مبتنی بر ترانزیستور اثر میدان حساس به یون برای اندازه گیری میزان غلظت پنی سیلین G با استفاده از تکنولوژی میکروسیالات شبیه سازی و تحلیل شده است. آنالیت مورد نظر ما در این سنسور، پنی سیلین G است. با توجه به وجود یون هیدروژن در ساختار مولکولی پنی سیلین، سنسور ISFET حساس به یون هیدروژن طراحی شده است. در این پژوهش با تلفیق سنسور ISFET با تکنولوژی میکروسیالات، عملکرد سنسور ارتقاء داده شده است. با قرار دادن الکترودهایی در دیواره میکروکانال و با اعمال ولتاژ به الکترودها و ایجاد جریان الکترواسموتیک در داخل میکروکانال، حالت آشوب در کانال ایجاد شده که این عامل، باعث رساندن آنالیت مورد نظر، به سطح سنسور می شود. همچنین با شبیه سازی سنسور ISFET در محیط نرم افزار کامسول، نمودار های جریان- ولتاژ در حالت های مختلف بررسی شده است.

Keywords:

ترانزیستورهای اثر میدان حساس به یون , ترانزیستورهای اثر میدان نیمـه رسـانای اکسـید فلز , میکروسیالات , الکترواسموتیک , پنی سیلین G , لایه اکسید