تاثیر دمای فرآیند لایه نشانی MOCVD بر مقاومت الکتریکی ویژه لایه های نازک نیکل سنتز شده

Publish Year: 1399
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 489

This Paper With 13 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

IMES14_012

تاریخ نمایه سازی: 1 دی 1399

Abstract:

روش لایهنشانی شیمیایی بخار با استفاده از ترکیبات آلی- فلزی (MOCVD) در تولید لایه های نازك نیکل به دلیل ایجادلایه های یکنواخت و با خلوص و کیفیت بالا و مقاومت الکتریکی ویژه کم لایه ها اهمیت بسزایی دارد. در پژوهش حاضر، لایه هاینیکلی با احیای پیشماده استیل استون نیکل در دماهای 300 و 350˚C در راکتور MOCVD در فشار اتمسفری بر روی زیرلایه های سیلیسیمی سنتز شدند. مورفولورژی سطحی و ترکیب شیمیایی لایه ها با استفاده از میکروسکوپ الکترونی روبشی(SEM) و ساختار فازی آنها با ثبت الگوهای پراش پرتو X مشخصه یابی شدند. مقاومت الکتریکی ویژه لایه ها با دستگاه چهارمیله ای مورد مطالعه قرارگرفت. نتایج نشان داد که با افزایش دمای لایه نشانی تا 350˚C کمترین میانگین مقاومت الکتریکی ویژهبرای لایه نازك نیکل سنتز شده در دمای 350˚C در حدود 2/8x10(-4)Ωcm به دست آمد.

Keywords:

Authors

طاهره قلی زاده

دانشجوی دکتری مهندسی مواد و متالورژی- دانشگاه صنعتی سهند

زهرا مصطفوی

فارغ التحصیل کارشناسی ارشد مهندسی مواد- نانو مواد- دانشگاه صنعتی سهند

علیرضا اکبری

استاد مهندسی مواد (مهندسی سطح – خواص مکانیکی – نانو مواد)- دانشگاه صنعتی سهند