CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

تاثیر دمای فرآیند لایه نشانی MOCVD بر مقاومت الکتریکی ویژه لایه های نازک نیکل سنتز شده

عنوان مقاله: تاثیر دمای فرآیند لایه نشانی MOCVD بر مقاومت الکتریکی ویژه لایه های نازک نیکل سنتز شده
شناسه ملی مقاله: IMES14_012
منتشر شده در نهمین کنفرانس و نمایشگاه بین المللی مهندسی مواد و متالورژی ایران و چهاردهمین همایش ملی مشترک انجمن مهندسی متالورژی و مواد ایران و انجمن ریخته گری ایران در سال 1399
مشخصات نویسندگان مقاله:

طاهره قلی زاده - دانشجوی دکتری مهندسی مواد و متالورژی- دانشگاه صنعتی سهند
زهرا مصطفوی - فارغ التحصیل کارشناسی ارشد مهندسی مواد- نانو مواد- دانشگاه صنعتی سهند
علیرضا اکبری - استاد مهندسی مواد (مهندسی سطح – خواص مکانیکی – نانو مواد)- دانشگاه صنعتی سهند

خلاصه مقاله:
روش لایهنشانی شیمیایی بخار با استفاده از ترکیبات آلی- فلزی (MOCVD) در تولید لایه های نازك نیکل به دلیل ایجادلایه های یکنواخت و با خلوص و کیفیت بالا و مقاومت الکتریکی ویژه کم لایه ها اهمیت بسزایی دارد. در پژوهش حاضر، لایه هاینیکلی با احیای پیشماده استیل استون نیکل در دماهای 300 و 350˚C در راکتور MOCVD در فشار اتمسفری بر روی زیرلایه های سیلیسیمی سنتز شدند. مورفولورژی سطحی و ترکیب شیمیایی لایه ها با استفاده از میکروسکوپ الکترونی روبشی(SEM) و ساختار فازی آنها با ثبت الگوهای پراش پرتو X مشخصه یابی شدند. مقاومت الکتریکی ویژه لایه ها با دستگاه چهارمیله ای مورد مطالعه قرارگرفت. نتایج نشان داد که با افزایش دمای لایه نشانی تا 350˚C کمترین میانگین مقاومت الکتریکی ویژهبرای لایه نازك نیکل سنتز شده در دمای 350˚C در حدود 2/8x10(-4)Ωcm به دست آمد.

کلمات کلیدی:
لایه نازک نیکل، رسوب گذاری شیمیایی بخار، دما، مقاومت الکتریکی ویژه، پراش پرتو X

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/1133273/