بررسی اثر دمای کلسیناسیون بر ساختار و خواص دی الکتریک لایه های نازک (Sr(0.85)Mg(0.15)TiO(3 سنتز شده به روش رسوب نشانی فاز مایع بر روی زیرلایه های آلومینایی

در این تحقیق، لایه های نازک تیتانات استرانسیم دو پت منیزیم با ترکیب (Sr(0.85)Mg(0.15)TiO(3 به روش رسوب نشانی فاز مایع برروی زیر لایه های آلومینایی سنتز شد. نمونه ها در دماهای مختلف 600 ، 700 ، 800 و 900 درحه سانتیگراد به مدت 120 دقیقهکلسینه شده و اثرات دمای کلسیناسیون بر خواص ساختاری و دی الکتریکی آنها مورد بررسی و ارزیابی قرار گرفت. در ادامه لایه هایسنتز شده به وسیله دستگاه های FE-SEM, AFM, XRD و LCR متر آنالیز و مشخصه یابی شدند. تصاویر FE-SEM وAFM گویای تشکیل لایه نازکی فشرده، صاف و یکنواخت با متوسط اندازه دانه هایی در حدود 80 نانومتر و ضخامتی حدود 300نانومتر بر روی زیرلایه می باشد. نتایج بررسی خواص دی الکتریک لایه های نازک سنتز شده نشان داد که با افزایش دمای آنیل از600 به 700 درجه سانتیگراد ثابت دی الکتریک افزایش و اتلاف دی الکتریک کاهش می یابد، بطوریکه حداکثر ثابت و حداقل اتلافدی الکتریک در دمای 700 درجه سانتیگراد بدست آمد. کاهش ثابت دی الکتریک و افزایش اتلاف دی الکتریک با افزایش دما به800 و 900 درجه سانتیگراد احتمالاً به افزایش اندازه دانه ها و تشکیل فازهای ثانویه در ترکیب مربوط می باشد.

Keywords:

لایه های نازک , (Sr(0.85)Mg(0.15)TiO(3 , دمای کلسیناسیو ن , فرایند رسوب نشانی فاز مایع , خواص ساختاری و دی الکتریکی