سعید رضایی - دانشگاه جیرفت
مجید دولتی - دانشگاه بوعلی سینا
روزبه عباس زاده - سازمان پژوهش های علمی و صنعتی ایران

استفاده از روش‌های غیرشیمیایی یکی از راهکارهای بهبود جوانه‌زنی بذر به‌شمار می‌رود. به‌منظور بررسی اثر اعمال میدان مغناطیسی بر شاخص‌های جوانه‌زنی بذر و رشد گیاهچه پیاز، یک سامانه‌ی میدان مغناطیسی چهار قطبی طراحی و ساخته شد و با سامانه دوقطبی مورد مقایسه قرار گرفت. در سامانه چهارقطبی، هر یک از چهار کلاف سیم پیچ شامل سه‌لایه سیم‌پیچ و یک هسته فلزی است که هسته قابلیت حرکت در درون سیم‌پیچ را دارد. این قابلیت باعث تغییر شدت میدان مغناطیسی، علاوه بر تغییر از طریق تغییر جریان ورودی، خواهد شد. دو آزمایش مستقل با دو سامانه‌ی میدان مغناطیسی به‌صورت فاکتوریل در قالب طرح کاملاً تصادفی با سه تکرار انجام شد. فاکتورها شامل نوع سامانه (دو قطبی و چهار قطبی)، شدت میدان مغناطیسی (75، 150، 300 و 600 میکروتسلا) و مدت زمان اعمال میدان (15، 30، 60 و 120 دقیقه) بود. شاخص‌های مورد بررسی عبارت بودند از: درصد جوانه‌زنی، سرعت جوانه‌زنی، متوسط زمان جوانه‌زنی، شاخص بنیه، طول ساقه‌چه، طول ریشه‌چه، وزن تر ساقه‌چه، وزن‌تر ریشه‌چه، وزن تر گیاهچه، وزن خشک ریشه‌چه و وزن خشک ساقه‌چه. به‌طور کلی نتایج نشان داد که میدان مغناطیسی بر روی شاخص‌های جوانه‌زنی و رشد گیاهچه پیاز تاثیر معنی‌دار داشته و سامانه چهارقطبی نبست به سامانه دوقطبی در بیشتر شاخص‌های مورد مطالعه عملکرد بهتری داشته است. در مورد غالب صفات (به‌جز وزن)، افزایش شدت میدان، منجر به کاهش صفات شد. سیستم چهارقطبی که میدان مغناطیسی 600 میکروتسلایی را به مدت 15 دقیقه به بذر اعمال کرد، باعث افزایش 63 درصدی وزن گیاهچه گردید. غالب صفات جوانه‌زنی تحت تأثیر مدت زمان اعمال میدان به بذر قرار نگرفتند. به هرحال بررسی‌های بیشتر در خصوص مدت زمان اعمال میدان نسبت به زمان اعمال شده در این مطالعه ضروری است.

پیاز, سامانه چهارقطبی, شاخص های جوانه زنی و رشد گیاهچه, شدت میدان مغناطیسی