تابش لیزری طول‌موج کوتاه با استفاده از نانوساختار هسته/پوسته نقره/سیلیسیم
Publish place: Journal of Applied Electeromagnetics، Vol: 8، Issue: 1
Publish Year: 1399
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 247
This Paper With 13 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_ELEMAG-8-1_010
تاریخ نمایه سازی: 21 دی 1399
Abstract:
در این پژوهش، به‌طور عددی گسیل فوتوالکترون‌ها در گازهای هیدروژنی با استفاده از میدان‌های نزدیک پراکنده شده، بررسی می‌شود. میدان‌های نزدیک توسط نانوکره فلزی تک لایه و هم‌چنین نانوکره فلزی هسته/پوسته‌ای که تحت تابش میدان تخت قطبیده قرار دارند ایجاد می‌شوند. محاسبات این میدان‌ها به‌صورت تحلیلی با استفاده از تئوری مای که سال‌های بسیاری یک ابزار قدرتمند برای فهم پراکندگی تابش الکترومغناطیسی بوده است انجام می‌شود. نتایج نشان می‌دهد که حضور یک‌لایه پوششی عایق سیلیسیم دور نانو کره فلزی و ایجاد نانوساختار هسته/پوسته، نه تنها می‌توان بر مشکل محدود بودن شدت باریکه لیزری فرودی قابل تحمل غلبه کرد بلکه باعث تقویت بیشتر میدان لیزری نسبت به تک کره فلزی می‌شود. وابستگی فضایی میدان‌های نزدیک و هم‌چنین تقویت میدان‌های نزدیک در اطراف قطب‌های سطح نانوکره، پتانسیل زیادی برای تولید فوتون‌های طول‌موج کوتاه به‌وسیله تابش مستقیم نوسانگرهای لیزری فمتوثانیه‌ای متداول را فراهم می‌کند. طیف‌های هماهنگ تحت تأثیر طول‌موج باریکه فرودی، شعاع ذرات، ضخامت پوسته و فاصله بین اتم هیدروژن و نانوذره می‌باشد. چنین منابع لیزری می‌تواند برای مشاهدات زمان-واقعی و کنترل در محدوده زمانی متناظر با دینامیک الکترونی، عکس‌برداری و طیف‌سنجی فوق‌سریع به‌کار می‌رود.
Keywords:
Authors
فرزانه امینی
گروه آموزشی علوم پایه دانشگاه ولی عصر رفسنجان شهر رفسنجان
مسعود محبی
گروه آموزشی فیزیک-دانشکده علوم-دانشگاه ولی عصر-رفسنجان-کرمان
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :